2022-2023學(xué)年福建省龍巖市上杭一中高二（上）期初物理試卷

一、單項(xiàng)選擇題：本題共8小題，每小題4分，共32分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。

• 1．公元1世紀(jì)，東漢王充《論衡?亂龍》中記錄了“頓牟掇芥”。頓牟即琥珀，芥指芥菜子，統(tǒng)喻干草、紙等微小屑末。這個(gè)詞的意思就是經(jīng)過摩擦過的琥珀能夠吸引干草、紙等輕小的物體。下列關(guān)于這個(gè)現(xiàn)象的解釋正確的是（　?。?/h2>

  A．經(jīng)過摩擦的琥珀帶了電

  B．經(jīng)過摩擦的琥珀有了磁性

  C．琥珀與干草帶異種電荷

  D．琥珀與千草帶同種電荷
  組卷：32引用：2難度：0.8

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• 2．反天刀是生活在尼羅河的一種魚類，沿著它身體的長度方向分布著電器官，這些器官能在魚周圍產(chǎn)生電場，如圖為反天刀周圍的電場線分布示意圖，A、B、C為電場中的點(diǎn)，則下列說法中正確的是（　?。?/h2>

  A．反天刀尾部帶正電

  B．B點(diǎn)電勢高于C點(diǎn)電勢

  C．B點(diǎn)和C點(diǎn)的電場強(qiáng)度可能相同

  D．將一負(fù)電荷從A點(diǎn)沿虛線移到C點(diǎn)，電場力對其做負(fù)功
  組卷：42引用：4難度：0.5

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• 3．人體的細(xì)胞膜模型圖如圖a所示，由磷脂雙分子層組成，雙分子層之間存在電壓（醫(yī)學(xué)上稱為膜電位）?，F(xiàn)研究某小塊均勻的細(xì)胞膜，厚度為d,膜內(nèi)的電場可看作勻強(qiáng)電場，簡化模型如圖b所示，初速度可視為零的一價(jià)負(fù)氯離子僅在電場力的作用下，從圖中的A點(diǎn)運(yùn)動到B點(diǎn)，下列說法正確的是（　?。?br />

  A．A點(diǎn)電勢大于B點(diǎn)電勢

  B．氯離子的電勢能將減小

  C．若僅增大細(xì)胞膜的膜電位增大，氯離子進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)的速度減小

  D．若僅減小細(xì)胞膜的厚度d,氯離子進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)的速度將會變大
  組卷：54引用：3難度：0.5

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• 4．如圖，在（a,0）位置放置電荷量為q的正點(diǎn)電荷，在（0，a）位置放置電荷量為q的負(fù)點(diǎn)電荷，在距P（a,a）為

  2

  a的某點(diǎn)處放置正點(diǎn)電荷Q，使得P點(diǎn)的電場強(qiáng)度為零。則Q的位置及電荷量分別為（　?。?/h2>

  A．（0，2a）， 2 q

  B．（0，2a），2 2 q

  C．（2a,0）， 2 q

  D．（2a,0），2 2 q
  組卷：2727引用：17難度：0.5

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• 5．真空中一平面直角坐標(biāo)系xOy內(nèi)，存在著平行x軸方向的電場，x軸上各點(diǎn)的電勢φ隨位置x變化的關(guān)系圖像如圖所示，x=0處電勢為6V。一個(gè)帶負(fù)電粒子從x=1cm處由靜止釋放，不計(jì)粒子重力，則下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．x=2cm處的電勢為零，電場強(qiáng)度大小也為零

  B．x=-1cm的電場強(qiáng)度大于x=1cm處的電場強(qiáng)度

  C．粒子沿x軸負(fù)方向運(yùn)動過程中，電勢能先變大后變小

  D．粒子沿x軸負(fù)向運(yùn)動到的最遠(yuǎn)位置處的坐標(biāo)為x=-1.5cm
  組卷：206引用：3難度：0.5

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四、解答題：共40分。

• 16．如圖所示，ABCD是半徑為R的四分之三光滑絕緣圓形軌道，固定在豎直面內(nèi)。以軌道的圓心O為坐標(biāo)原點(diǎn)，沿水平直徑AC方向建立x軸，豎直直徑BD方向建立y軸。y軸右側(cè)（含y軸）存在豎直向上的勻強(qiáng)電場。一質(zhì)量為m、帶電量為+q的小球，從A點(diǎn)由靜止開始沿軌道下滑，通過軌道最高點(diǎn)D后，又落回到軌道上的A點(diǎn)處。不考慮小球之后的運(yùn)動，不計(jì)空氣阻力，重力加速度為g,求：
  （1）小球落回到A點(diǎn)時(shí)的速率；
  （2）電場強(qiáng)度的大小；
  （3）小球從A下滑到電場內(nèi)的B點(diǎn)時(shí)對軌道壓力的大小。
  組卷：257引用：10難度：0.7

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• 17．光刻機(jī)是半導(dǎo)體行業(yè)中重中之重的利器，我國上海微電子裝備公司（SMEE）在這一領(lǐng)域的技術(shù)近年取得了突破性進(jìn)展。電子束光刻技術(shù)原理簡化如圖所示，電子槍發(fā)射的電子經(jīng)過成型孔后形成電子束，通過束偏移器后對光刻膠進(jìn)行曝光。某型號光刻機(jī)的束偏移器長L=0.04m,間距也為L，兩極間有掃描電壓，其軸線垂直晶圓上某芯片表面并過中心O點(diǎn)，芯片到束偏移器下端的距離為

  L

  2

  。若進(jìn)入束偏移器時(shí)電子束形成的電流大小為I=2×10^-8A，單個(gè)電子的初動能為E_k0=1.6×10^-14J，不計(jì)電子重力及電子間的相互作用力，忽略其他因素的影響，電子到達(dá)芯片即被吸收。
  （1）若掃描電壓為零，電子束在束偏移器中做何種運(yùn)動？電子束到達(dá)芯片時(shí)的落點(diǎn)位置？
  （2）若掃描電壓為零，且It=Ne（N為電子個(gè)數(shù)），求O點(diǎn)每秒接收的能量E？（e=1.6×10^-19C）
  （3）若某時(shí)刻掃描電壓為15kV，則電子束到達(dá)芯片時(shí)的位置離O點(diǎn)的距離為多少？
  組卷：36引用：2難度：0.6

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