2022-2023學(xué)年浙江省杭州市西湖區(qū)學(xué)軍中學(xué)四校區(qū)高二（上）期末物理試卷

一、單選題（本題共13小題，每小題3分，共39分。每小題列出的四個(gè)備選項(xiàng)中只有一個(gè)是符合題目要求的，不選、多選、錯選均不得分）

• 1．以下物理量屬于矢量且單位正確的是（　?。?/h2>

  A．功（J）	B．電場強(qiáng)度（V/m）
  C．電勢差（V）	D．磁感應(yīng)強(qiáng)度（Wb）
  組卷：7引用：2難度：0.7

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• 2．關(guān)于如圖四幅圖像，下列說法正確的是（　　）

  A． 圖中，灑水車在灑水過程中慣性變小

  B． 圖中，籃球在空中上升時(shí)處于超重狀態(tài)

  C． 圖中，離心機(jī)分離血液時(shí)，血液受到離心力作用

  D． 圖中，行進(jìn)火車上向前射出的光，其速度大于光速c
  組卷：8引用：1難度：0.9

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• 3．科學(xué)訓(xùn)練可提升運(yùn)動成績，小明在體訓(xùn)前、后百米全程測試中，v-t圖像分別如圖所示，則（　?。?/h2>

  A．研究起跑動作時(shí)可把小明視為質(zhì)點(diǎn)

  B．0～t1內(nèi)，訓(xùn)練后小明的平均速度大

  C．0～t2內(nèi)，訓(xùn)練前后小明跑過的距離相等

  D．經(jīng)過訓(xùn)練，t3時(shí)刻后小明仍做加速運(yùn)動
  組卷：75引用：3難度：0.6

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• 4．如圖所示為制作豆腐的石磨裝置，質(zhì)量為m的“T”形木柄ABC水平靜止時(shí)，連接AB的繩子處于繃緊狀態(tài)，O點(diǎn)是三根繩子的結(jié)點(diǎn)。若不計(jì)繩子所受重力，OA=OB，∠AOB=60°，F(xiàn)、F₁和F₂分別表示三根繩的拉力大小，則（　　）

  A．F=F1=F2

  B． F = 3 F 1

  C．F=mg

  D． F = 3 mg
  組卷：93引用：3難度：0.7

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• 5．如圖所示，“羲和號”是我國首顆可24小時(shí)全天候?qū)μ栠M(jìn)行觀測的試驗(yàn)衛(wèi)星，該衛(wèi)星繞地球可視為勻速圓周運(yùn)動，軌道平面與赤道平面垂直。衛(wèi)星每天在相同時(shí)刻，沿相同方向經(jīng)過地球表面A點(diǎn)正上方，恰好繞地球運(yùn)行n圈（n＞1）。已知地球半徑為R，自轉(zhuǎn)周期為T，地球表面重力加速度為g,則“羲和號”衛(wèi)星運(yùn)行的（　?。?/h2>

  A．線速度大于第一宇宙速度

  B．角速度小于地球同步衛(wèi)星

  C．向心加速度大于地球同步衛(wèi)星

  D．軌道距地面高度為 （ g R 2 T 2 4 π 2 ） 1 3 - R
  組卷：127引用：3難度：0.7

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• 6．單板大跳臺是一項(xiàng)緊張刺激項(xiàng)目。2022年北京冬奧會期間，一觀眾用手機(jī)連拍功能拍攝運(yùn)動員從起跳到落地的全過程，合成圖如圖所示。忽略空氣阻力，且將運(yùn)動員視為質(zhì)點(diǎn)。則運(yùn)動員（　?。?/h2>

  A．在空中飛行過程是變加速曲線運(yùn)動

  B．在斜向上飛行到最高點(diǎn)的過程中，其動能全部轉(zhuǎn)化為重力勢能

  C．運(yùn)動員從起跳后到落地前，重力的瞬時(shí)功率先減小后增大

  D．運(yùn)動員在空中飛行過程中，動量的變化率在不斷變化
  組卷：113引用：4難度：0.7

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• 7．如圖，靜電噴涂時(shí)，被噴工件接正極，噴槍口接負(fù)極，它們之間形成強(qiáng)電場，涂料微粒從噴槍口噴出后，只在靜電力作用下向工件運(yùn)動，最后吸附在工件表面，圖中虛線為涂料微粒的運(yùn)動軌跡，下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．涂料微粒一定帶正電

  B．圖中虛線可視為高壓電場的部分電場線

  C．噴射出的微粒的電勢能不斷增大

  D．噴射出的微粒的動能不斷增大
  組卷：37引用：3難度：0.7

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三、非選擇題（本題共7小題，共55分）

• 22．如圖所示，在傾角α=30°的光滑斜面上，存在著兩個(gè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小相等、方向分別垂直斜面向上和垂直斜面向下的勻強(qiáng)磁場，兩磁場寬度均為L，一質(zhì)量為m、邊長為L的正方形線框的ab邊距磁場上邊界MN為L處由靜止沿斜面下滑，ab邊剛進(jìn)入上側(cè)磁場時(shí)，線框恰好做勻速直線運(yùn)動。ab邊進(jìn)入下側(cè)磁場運(yùn)動一段時(shí)間后也做勻速直線運(yùn)動。重力加速度為g。求：
  （1）ab邊剛越過兩磁場的分界線PQ時(shí)線框受到的安培力的大?。痪€框再次勻速運(yùn)動時(shí)的速度大??；
  （2）線框穿過上側(cè)磁場的過程中產(chǎn)生的熱量Q；
  （3）線框穿過上側(cè)磁場的過程所用的時(shí)間t。
  組卷：216引用：1難度：0.4

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• 23．在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序．如圖所示是一部分離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，選擇出一定速度的離子，然后通過磁分析器Ⅰ，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ后注入水平放置的硅片上．速度選擇器、磁分析器中的勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外；速度選擇器中的勻強(qiáng)電場場強(qiáng)大小為E，方向豎直向上．磁分析器截面是矩形，矩形長為2L，寬為

  （

  4

  -

  2

  3

  ）

  L

  ．其寬和長中心位置C和D處各有一個(gè)小孔；半徑為L的圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ內(nèi)存在垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)的勻強(qiáng)磁場，D、M、N在一條豎直線上，DM為圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的直徑，最低點(diǎn)M到硅片的距離MN=

  L

  2

  ，不計(jì)離子重力。
  
  （1）求離子通過速度選擇器后的速度大??；
  （2）求磁分析器選擇出來的離子的比荷；
  （3）若偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小的取值范圍

  2

  3

  3

  B

  ≤

  B

  偏

  ≤

  3

  B，求硅片上離子注入的寬度．
  組卷：392引用：5難度：0.2

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