質(zhì)譜儀被應用于分離同位素，圖（a）是其簡化模型。大量質(zhì)量m=1.60×10^-27kg、電荷量為q=1.60×10^-19C的質(zhì)子，從粒子源A下方以近似速度為0飄入電勢差為U₀=450V的加速電場中，從中央位置進入平行板電容器。當平行板電容器不加電壓時，粒子將沿圖中虛線從O點進入磁感應強度B=0.1T的勻強磁場中，經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后打在水平放置的屏上，已知磁場方向垂直紙面向外，電容器極板長度L=6cm,兩極板間寬度d=2cm?，F(xiàn)給平行板電容器加上圖（b）所示的偏轉(zhuǎn)電壓，質(zhì)子在電容器中運動的時間遠小于電壓變化的周期T，水平屏分布在電容器豎直極板兩側(cè)，忽略粒子所受重力和粒子間的相互作用力，求：
（1）質(zhì)子射出加速電場時速度的大??；
（2）為使質(zhì)子經(jīng)偏轉(zhuǎn)電場后能全部進入磁場，偏轉(zhuǎn)電壓的最大值U_m；
（3）質(zhì)子打在水平放置的屏上的痕跡長度s。