用微電極記錄細(xì)胞膜上的電位變化是研究神經(jīng)沖動(dòng)產(chǎn)生、傳導(dǎo)和突觸傳遞原理的常用方法。根據(jù)如圖實(shí)驗(yàn)方法和結(jié)果，分析并回答相關(guān)的問題。
（1）圖1顯示的突觸結(jié)構(gòu)是由
突觸前膜、突觸間隙和突觸后膜
突觸前膜、突觸間隙和突觸后膜
構(gòu)成的，興奮傳到此處時(shí)的信號(hào)變化為 電信號(hào)→化學(xué)信號(hào)→電信號(hào)
電信號(hào)→化學(xué)信號(hào)→電信號(hào)
，圖1中的微電機(jī)M記錄到動(dòng)作電位時(shí)，突觸后膜上將依次產(chǎn)生的反應(yīng)是 突觸后膜上受體與神經(jīng)遞質(zhì)結(jié)合，引起突觸后膜產(chǎn)生動(dòng)作電位
突觸后膜上受體與神經(jīng)遞質(zhì)結(jié)合，引起突觸后膜產(chǎn)生動(dòng)作電位
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（2）研究表明，在突觸小體未產(chǎn)生動(dòng)作電位的情況，微電極N上也會(huì)記錄到隨機(jī)產(chǎn)生的幅度幾乎相等的微小電位變化，如圖2所示。結(jié)合突觸的結(jié)構(gòu)和突觸傳遞的過程，分析電位變化產(chǎn)生的原因 單個(gè)突觸小泡隨機(jī)性地與突觸前膜融合，釋放的微量神經(jīng)遞質(zhì)與突觸后膜上的受體結(jié)合，引起少量Na+內(nèi)流，在突觸后膜上產(chǎn)生微小電位變化
單個(gè)突觸小泡隨機(jī)性地與突觸前膜融合，釋放的微量神經(jīng)遞質(zhì)與突觸后膜上的受體結(jié)合，引起少量Na+內(nèi)流，在突觸后膜上產(chǎn)生微小電位變化
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（3）在某些突觸中，突觸小體產(chǎn)生動(dòng)作電位后，微電極N上記錄到電位負(fù)值增大的抑制性后電位（IPSP），如圖3所示。已知K+和CI-通道都參與了IPSP的形成，試從該角度分析IPSP產(chǎn)生的原因 K+外流和Cl-內(nèi)流
K+外流和Cl-內(nèi)流
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（4）已知從刺激開始到動(dòng)作電位產(chǎn)生有短暫的延遲，且與刺激強(qiáng)度有關(guān)。為了規(guī)避該延遲對(duì)測(cè)量精確度的影響，請(qǐng)利用微電極記錄技術(shù)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)，精確測(cè)量動(dòng)作電位在神經(jīng)軸突上的傳導(dǎo)速度。（實(shí)驗(yàn)儀器：微電極記錄設(shè)備、刺激器、計(jì)時(shí)器、刻度尺等）
實(shí)驗(yàn)思路：在神經(jīng)軸突上選取兩點(diǎn)，插入微電極記錄設(shè)備，可通過測(cè)量?jī)蓚€(gè)電極之間的距離，同時(shí)測(cè)量電極記錄到的動(dòng)作電位的起始點(diǎn)的時(shí)間差即可
可通過測(cè)量?jī)蓚€(gè)電極之間的距離，同時(shí)測(cè)量電極記錄到的動(dòng)作電位的起始點(diǎn)的時(shí)間差即可
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計(jì)算：動(dòng)作電位在神經(jīng)軸突上的傳導(dǎo)速度=。
