硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF₄+NaAlH₄═SiH₄+NaAlF₄。
（1）①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為

。
②SiF₄中，硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是

SiF₄中氟和硅以共價(jià)鍵相連，F(xiàn)原子吸電子能力強(qiáng)，共用電子對(duì)偏向F原子，因此Si顯正價(jià)

SiF₄中氟和硅以共價(jià)鍵相連，F(xiàn)原子吸電子能力強(qiáng)，共用電子對(duì)偏向F原子，因此Si顯正價(jià)

。
③下列說(shuō)法正確的是

ac

ac

（填序號(hào)）。
a.SiF₄的熱穩(wěn)定性比CH₄的差
b.SiH₄中4個(gè)Si-H的鍵長(zhǎng)相同，H-Si-H的鍵角為90°
c.SiH₄中硅原子以4個(gè)sp³雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊，形成4個(gè)Si-Hσ鍵
④SiF₄的沸點(diǎn)（-86℃）高于SiH₄的沸點(diǎn)（-112℃），原因是

SiF₄和SiH₄均為分子晶體，且結(jié)構(gòu)相似，SiF₄的相對(duì)分子質(zhì)量大，則分子間范德華力強(qiáng)，沸點(diǎn)更高

SiF₄和SiH₄均為分子晶體，且結(jié)構(gòu)相似，SiF₄的相對(duì)分子質(zhì)量大，則分子間范德華力強(qiáng)，沸點(diǎn)更高

。
（2）NaAlH₄的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞的體積為a²b×10^-21cm³。

①

A

l

H

-

4

的VSEPR模型名稱為

正四面體

正四面體

。
②用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH₄晶體密度為

216

×

1

0

23

a

2

b

N

A

216

×

1

0

23

a

2

b

N

A

g?cm^-3（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）。
③NaAlH₄是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料，其釋氫過(guò)程可用化學(xué)方程式表示為：3NaAlH₄═Na₃AlH₆+2Al+3H₂↑。摻雜₂₂Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH₄中H的解離，使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測(cè)其可能原因：

₂₂Ti可以使基團(tuán)中的H原子處于近自由的狀態(tài)，₂₂Ti替代Al時(shí)站位能最小

₂₂Ti可以使基團(tuán)中的H原子處于近自由的狀態(tài)，₂₂Ti替代Al時(shí)站位能最小

。