三氯化硅（SiHCl₃）是制備硅烷、多晶硅的重要原料。已知SiHCl₃（g）在催化劑作用下發(fā)生反應(yīng)：2SiHCl₃（g）?SiH₂Cl₂（g）+SiCl₄（g）。一定條件下，向容積為1L的恒容密閉容器中充入2molSiHCl₃（g），分別在溫度為T₁K、T₂K條件下反應(yīng)，測得反應(yīng)體系中SiHCl₃（g）的物質(zhì)的量分數(shù)隨時間變化的關(guān)系如圖所示。

（1）在T₁K溫度下，SiHCl₃的平衡轉(zhuǎn)化率a（SiHCl₃）=

20

20

%。若想進一步提高SiHCl₃的轉(zhuǎn)化率，除改變溫度外還可以采取的措施是

及時移去產(chǎn)物

及時移去產(chǎn)物

。
（2）在T₂K溫度下，經(jīng)t₁min后反應(yīng)達到平衡。
①0～t₁min內(nèi)，SiH₂Cl₂的反應(yīng)速率v_正（SiH₂Cl₂）=

0

.

22

t

1

0

.

22

t

1

mol?L^-1?min^-1。
②在T₂K溫度下，該反應(yīng)的平衡常數(shù)K_p=

（

11

78

）

2

（

11

78

）

2

（已知，壓強平衡常數(shù)K_p用各氣體組分的分壓代替物質(zhì)的量濃度計算）。
（3）下列不能判斷該反應(yīng)達到平衡狀態(tài)的是

bd

bd

（填標號）。
a.v_正（SiHCl₃）=2v_逆（SiH₂Cl₂）
b.混合氣體的密度不再發(fā)生變化
c.SiHCl₃與SiCl₄的濃度之比不再改變
d.混合氣體的平均摩爾質(zhì)量不再發(fā)生變化
（4）已知：反應(yīng)速率v=v_正-v_逆=k_正x²（SiHCl₃）-k_逆x（SiH₂Cl₂）?x（SiCl₄），k_正、k_逆分別表示正、逆反應(yīng)速率常數(shù)，x（B）為組分B的物質(zhì)的量分數(shù)。
①a、b點的正反應(yīng)速率之比v_a：v_b

＞

＞

（填“＞”、“＜”或“=”）1。
②b點的

v

正

v

逆

=

2.01

2.01

（保留三位有效數(shù)字）。