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2022年湖南省益陽市沅江一中高考化學(xué)二模試卷
>
試題詳情
高壓不僅會(huì)引發(fā)物質(zhì)的相變,也會(huì)導(dǎo)致新類型化學(xué)鍵的形成?;卮鹣铝袉栴}:
(1)在50~300GPa的高壓下,Na或Cl
2
反應(yīng)生成如圖所示晶胞的NaCl晶體,其中大灰球?yàn)槁?,小黑球?yàn)殁c。
①生成該晶體的反應(yīng)的化學(xué)方程式為
2Na+3Cl
2
50
~
300
GP
a
2NaCl
3
2Na+3Cl
2
50
~
300
GP
a
2NaCl
3
。
②該NaCl晶體的密度為
259
×
1
0
30
N
A
?
a
3
259
×
1
0
30
N
A
?
a
3
g?cm
-3
。(已知晶胞參數(shù)為apm,阿伏加德羅常數(shù)為N
A
mol
-1
)
(2)在超高壓(300GPa)下,金屬鈉和氦可形成化合物。結(jié)構(gòu)中,鈉離子按簡單立方排布,形成如圖所示的立方體空隙,電子對(duì)(2e
-
)和氦原子交替分布填充在立方體的中心。
①若用Na
x
He
y
(2e
-
)
z
表示該晶體的組成,則x:y:z=
2:1:1
2:1:1
②若將氦原子放在晶胞頂點(diǎn),則電子對(duì)(2e
-
)在晶胞中的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0.5,0,0)、(0,0.5,0)、(0,0,0.5)、
(0.5,0.5,0.5)
(0.5,0.5,0.5)
(3)若在高壓條件下形成的氨晶體中,氨分子中的每個(gè)H均參與一個(gè)氫鍵的形成。則N原子的雜化方式為
sp
3
sp
3
,N原子鄰接
4
4
個(gè)氫原子,1mol氨晶體中有
4
4
mol氫鍵。該氨晶體與普通氨晶體相比熔點(diǎn)
高
高
(填“高”、“低”或“相同”),原因是
該晶體中氫鍵數(shù)目多
該晶體中氫鍵數(shù)目多
。該氨晶體中氨分子的熱穩(wěn)定性與普通氨晶體中氨分子的熱穩(wěn)定性
相同
相同
(填“高”、“低”或“相同”)。
(4)上述晶體中所涉及元素(Na、Cl、He)的第一電離能的由大到小的順序?yàn)?
He>C1>Na
He>C1>Na
(用元素符號(hào)填空),所涉及元素(H、Na、N)的電負(fù)性的大小為
N>H>Na
N>H>Na
(用元素符號(hào)填空)。
【考點(diǎn)】
晶胞的計(jì)算
;
元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用
.
【答案】
2Na+3Cl
2
50
~
300
GP
a
2NaCl
3
;
259
×
1
0
30
N
A
?
a
3
;2:1:1;(0.5,0.5,0.5);sp
3
;4;4;高;該晶體中氫鍵數(shù)目多;相同;He>C1>Na;N>H>Na
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0
組卷:21
引用:1
難度:0.4
相似題
1.
下表是常見晶胞結(jié)構(gòu)。下列說法不正確的是( ?。?br />
金剛石
ZnS
Cu
干冰
A.金剛石是共價(jià)晶體,熔點(diǎn)關(guān)系為:金剛石>碳化硅>晶體硅
B.ZnS晶胞中含有4個(gè)Zn
2+
C.Cu是金屬晶體,配位數(shù)為6
D.干冰是分子晶體,由于分子間作用力弱,所以干冰熔點(diǎn)低
發(fā)布:2024/11/15 10:0:1
組卷:56
引用:2
難度:0.6
解析
2.
單晶邊緣納米催化劑技術(shù)為工業(yè)上有效利用二氧化碳提供了一條經(jīng)濟(jì)可行的途徑,其中單晶氧化鎂負(fù)載鎳催化劑表現(xiàn)出優(yōu)異的抗積碳和抗燒結(jié)性能。
(1)基態(tài)鎳原子的價(jià)層電子排布圖為
。
(2)氧化鎂載體及鎳催化反應(yīng)中涉及到CH
4
、CO
2
和CH
3
OH等物質(zhì)。元素Mg、O和C的第一電離能由小到大排序?yàn)?
;在上述三種物質(zhì)的分子中碳原子雜化類型不同于其他兩種的是
,立體構(gòu)型為正四面體的分子是
,三種物質(zhì)中沸點(diǎn)最高的是CH
3
OH,其原因是
。
(3)Ni與CO在60~80℃時(shí)反應(yīng)生成Ni(CO)
4
氣體,在Ni(CO)
4
分子中與Ni形成配位鍵的原子是
,Ni(CO)
4
晶體類型是
。
(4)已知MgO具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu),其結(jié)構(gòu)如圖所示。已知MgO晶胞棱長為0.42nm,則MgO的密度為
g?cm
-3
(保留小數(shù)點(diǎn)后一位,下同);相鄰Mg
2+
之間的最短距離為
nm。(已知
2
=1.414,
3
=1.732)。
發(fā)布:2024/11/15 13:0:1
組卷:102
引用:2
難度:0.3
解析
3.
ZnS是一種重要的光導(dǎo)體材料。如圖是ZnS的某種晶胞沿z軸方向在xy平面的投影,原子旁標(biāo)注的數(shù)字是該原子位于z軸上的高度(部分相同位置的原子未標(biāo)注)。下列說法正確的是( ?。?img alt="菁優(yōu)網(wǎng)" src="http://img.jyeoo.net/quiz/images/svg/202302/396/dbd99226.png" style="vertical-align:middle" />
A.S
2-
周圍等距且最近的S
2-
有6個(gè)
B.基態(tài)Zn原子核外電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有30種
C.Zn
2+
與S
2-
的最短距離為
3
4
apm
D.在第三周期中,比S元素第一電離能大的元素只有兩種
發(fā)布:2024/11/16 3:0:1
組卷:59
引用:4
難度:0.5
解析
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