綜合利用煉鋅礦渣(主要含鐵酸鎵Ga2(Fe2O4)3、鐵酸鋅ZnFe2O4)獲得3種金屬鹽,并進(jìn)一步利用鎵鹽制備具有優(yōu)異光電性能的氮化鎵(GaN),部分工藝流程如圖。
已知:①常溫下,浸出液中各離子的濃度及其開始形成氫氧化物沉淀的pH如表1。
②金屬離子在工藝條件下的萃取率(進(jìn)入有機(jī)層中金屬離子的百分?jǐn)?shù))如表2。
表1金屬離子濃度及開始沉淀的pH
金屬離子 |
濃度(mol?L-1) |
開始沉淀pH |
Fe2+ |
1.0×10-3 |
8.0 |
Fe3+ |
4.0×10-2 |
1.7 |
Zn2+ |
1.5 |
5.5 |
Ga3+ |
3.0×10-3 |
3.0 |
表2金屬離子的萃取率
金屬離子 |
萃取率(%) |
Fe2+ |
0 |
Fe3+ |
99 |
Zn2+ |
0 |
Ga3+ |
97~98.5 |
(1)Ga
2(Fe
2O
4)
3中Ga的化合價為
+3
+3
,“浸出”時其發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為
Ga2(Fe2O4)3+24H+=2Ga3++6Fe3++12H2O
Ga2(Fe2O4)3+24H+=2Ga3++6Fe3++12H2O
。
(2)濾液1中可回收利用的物質(zhì)是
硫酸鋅
硫酸鋅
,濾餅的主要成分是
Fe(OH)3、Ga(OH)3
Fe(OH)3、Ga(OH)3
;萃取前加入的固體X為
Fe
Fe
。
(3)Ga與Al同主族,化學(xué)性質(zhì)相似。反萃取后,鎵的存在形式為
NaGaO2
NaGaO2
。(填化學(xué)式)
(4)電解過程包括電解反萃取液制粗鎵和粗鎵精煉兩個步驟。精煉時,以粗鎵為陽極,以NaOH溶液為電解液,陰極的電極反應(yīng)為
GaO2-+3e-+2H2O=Ga+4OH-
GaO2-+3e-+2H2O=Ga+4OH-
。
(5)GaN可采用MOCVD(金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積)技術(shù)制得:以合成的三甲基鎵為原料,使其與NH
3發(fā)生系列反應(yīng)得到GaN和另一種產(chǎn)物,該過程的化學(xué)方程式為
Ga(CH3)3+NH3=3CH4+GaN
Ga(CH3)3+NH3=3CH4+GaN
。
(6)濾液1中殘余的Ga
3+的濃度為
3.0×10-10.2
3.0×10-10.2
mol?L
-1。(寫出計(jì)算過程)