砷化鋁（AlAs）常用作光譜分析試劑和制備電子組件的原料，是一種新型半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)As原子的核外價(jià)電子排布圖為
；第一電離能I₁（As）
大于
大于
I₁（Se）（填“大于”或“小于”），其原因是
As最外層的4p能級(jí)為半充滿結(jié)構(gòu)，能量更低更穩(wěn)定
As最外層的4p能級(jí)為半充滿結(jié)構(gòu)，能量更低更穩(wěn)定
。
（2）As₄S₄的分子結(jié)構(gòu)中均為單鍵，且每個(gè)原子最外層均滿足8e^-穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則該分子中所含共價(jià)鍵數(shù)目為
10
10
；分子中As、S原子的雜化軌道類型分別為
sp³
sp³
、
sp³
sp³
。
（3）AlF₃的熔點(diǎn)約為1040℃，AlCl₃的熔點(diǎn)為194℃，其晶體類型分別是
離子晶體
離子晶體
、
分子晶體
分子晶體
。
（4）高純AlAs（砷化鋁）可用于芯片制造。芯片制造中的一種刻蝕過(guò)程如圖1所示，其中的致密保護(hù)膜可阻止H₂O₂刻蝕液與下層GaAs（砷化鎵）反應(yīng)。

已知AlAs的立方晶胞如圖2所示，其中As的配位數(shù)為
4
4
；該晶體密度為ρg?cm^-3，設(shè)N_A為阿伏加德羅常數(shù)的值，晶胞參數(shù)為
3
408
ρ
N
A
×10¹⁰
3
408
ρ
N
A
×10¹⁰
pm。

【答案】

；大于；As最外層的4p能級(jí)為半充滿結(jié)構(gòu)，能量更低更穩(wěn)定；10；sp³；sp³；離子晶體；分子晶體；4；

408

×10¹⁰

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/10/30 10:0:2組卷：16引用：1難度：0.5

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+
1
2
表示，與之相反的
-
1
2
表示，稱為電子的自旋磁量子數(shù)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　?。?br />

A．₄₉In的價(jià)層電子排布式為5s²5p¹

B．基態(tài)S原子電子自旋磁量子數(shù)的代數(shù)和為1

C．若A點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），則B點(diǎn)的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為

（

，

）

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g?cm^-3

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