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砷化鋁(AlAs)常用作光譜分析試劑和制備電子組件的原料,是一種新型半導(dǎo)體材料?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)As原子的核外價(jià)電子排布圖為
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;第一電離能I1(As)
大于
大于
I1(Se)(填“大于”或“小于”),其原因是
As最外層的4p能級(jí)為半充滿結(jié)構(gòu),能量更低更穩(wěn)定
As最外層的4p能級(jí)為半充滿結(jié)構(gòu),能量更低更穩(wěn)定

(2)As4S4的分子結(jié)構(gòu)中均為單鍵,且每個(gè)原子最外層均滿足8e-穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則該分子中所含共價(jià)鍵數(shù)目為
10
10
;分子中As、S原子的雜化軌道類型分別為
sp3
sp3
sp3
sp3
。
(3)AlF3的熔點(diǎn)約為1040℃,AlCl3的熔點(diǎn)為194℃,其晶體類型分別是
離子晶體
離子晶體
、
分子晶體
分子晶體
。
(4)高純AlAs(砷化鋁)可用于芯片制造。芯片制造中的一種刻蝕過(guò)程如圖1所示,其中的致密保護(hù)膜可阻止H2O2刻蝕液與下層GaAs(砷化鎵)反應(yīng)。
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已知AlAs的立方晶胞如圖2所示,其中As的配位數(shù)為
4
4
;該晶體密度為ρg?cm-3,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,晶胞參數(shù)為
3
408
ρ
N
A
×1010
3
408
ρ
N
A
×1010
pm。

【答案】菁優(yōu)網(wǎng);大于;As最外層的4p能級(jí)為半充滿結(jié)構(gòu),能量更低更穩(wěn)定;10;sp3;sp3;離子晶體;分子晶體;4;
3
408
ρ
N
A
×1010
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/10/30 10:0:2組卷:16引用:1難度:0.5
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    +
    1
    2
    表示,與之相反的
    -
    1
    2
    表示,稱為電子的自旋磁量子數(shù)。下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是( ?。?br />菁優(yōu)網(wǎng)

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    發(fā)布:2024/10/30 13:0:1組卷:57引用:1難度:0.6
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