第三代半導體材料氮化鎵（GaN）適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常稱為高溫半導體材料?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Ga原子價層電子的軌道表達式為

，第一電離能介于N和B之間的第二周期元素有

3

3

種。
（2）HCN分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為

1：1

1：1

，其中σ鍵的對稱方式為

軸對稱

軸對稱

。與CN^-互為等電子體的分子為

CO

CO

。
（3）NaN₃是汽車安全氣囊中的主要化學成分，其中陰離子中心原子的雜化軌道類型為

sp

sp

。NF₃的空間構(gòu)型為

三角錐形

三角錐形

。
（4）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導體材料，晶體類型與晶體硅類似，熔點如下表所示，分析其變化原因

GaN、GaP、GaAs都是原子晶體，原子半徑N＜P＜As,鍵長Ga-N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能Ga-N＞Ga-P＞Ga-As,故GaN、GaP、GaAs熔點依次降低

GaN、GaP、GaAs都是原子晶體，原子半徑N＜P＜As,鍵長Ga-N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能Ga-N＞Ga-P＞Ga-As,故GaN、GaP、GaAs熔點依次降低

。

	GaN	GaP	GaAs
熔點	1700℃	1480℃	1238℃

（5）GaN晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。已知六棱柱底邊邊長為a cm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A。
①晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式，每個Ga原子周圍距離最近的Ga原子數(shù)目為

12

12

；
②GaN的密度為

84

2

N

A

×

a

3

84

2

N

A

×

a

3

g?cm^-3（用a、N_A表示）。