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菁優(yōu)網(wǎng)鈣鈦礦型結構是一種重要的結構形式，若選擇Ti4+作為晶胞原點，其立方晶胞如圖所示（邊長為anm）。下列關于該晶體的說法錯誤的是（　?。?/h1>

【考點】晶胞的計算．
【答案】D
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/10/27 3:30:2組卷：51引用：2難度：0.7
相似題

  • 1．幾種晶體的晶胞（或晶體結構）如圖所示，下列說法正確的是（　?。?br />
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    NaCl晶胞 CO2晶胞 金剛石晶胞 石墨晶體結構

    發(fā)布：2024/10/28 12:30:2組卷：134引用：1難度：0.5

  • 2．CuInS2（式量為M）是生物醫(yī)藥、太陽能電池等領域的理想熒光材料，其晶胞結構如圖所示，阿伏加德羅常數(shù)為NA。已知：原子中運動的電子有兩種相反的自旋狀態(tài)，一種自旋狀態(tài)用
    +
    1
    2
    表示，與之相反的
    -
    1
    2
    表示，稱為電子的自旋磁量子數(shù)。下列說法錯誤的是（　?。?br />菁優(yōu)網(wǎng)

    發(fā)布：2024/10/30 11:30:2組卷：92引用：10難度：0.7

  • 3．砷化鋁（AlAs）常用作光譜分析試劑和制備電子組件的原料，是一種新型半導體材料?；卮鹣铝袉栴}：
    （1）基態(tài)As原子的核外價電子排布圖為
     
    ；第一電離能I1（As）
     
    I1（Se）（填“大于”或“小于”），其原因是
     
    。
    （2）As4S4的分子結構中均為單鍵，且每個原子最外層均滿足8e-穩(wěn)定結構，則該分子中所含共價鍵數(shù)目為
     
    ；分子中As、S原子的雜化軌道類型分別為
     
    、
     
    。
    （3）AlF3的熔點約為1040℃，AlCl3的熔點為194℃，其晶體類型分別是
     
    、
     
    。
    （4）高純AlAs（砷化鋁）可用于芯片制造。芯片制造中的一種刻蝕過程如圖1所示，其中的致密保護膜可阻止H2O2刻蝕液與下層GaAs（砷化鎵）反應。
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    已知AlAs的立方晶胞如圖2所示，其中As的配位數(shù)為
     
    ；該晶體密度為ρg?cm-3，設NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，晶胞參數(shù)為
     
    pm。

    發(fā)布：2024/10/30 10:0:2組卷：16引用：1難度：0.5
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