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菁優(yōu)網(wǎng)砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題：
（1）基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為[Ar]
3d104s24p1
3d104s24p1
。
（2）根據(jù)元素周期律，元素的電負(fù)性Ga
小于
小于
（填“大于”或“小于”，下同）As,第一電離能B
大于
大于
Ga；BF3和NH3的分子能夠通過配位鍵相結(jié)合的原因是
NH3中的N具有孤對電子，BF3中的B核外具有空軌道
NH3中的N具有孤對電子，BF3中的B核外具有空軌道
。
（3）殺蟲劑Na3AsO4中陰離子的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
，As原子采取
sp3
sp3
雜化。
（4）GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃，其原因是
GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，離子晶體GaF3的熔沸點(diǎn)高
GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，離子晶體GaF3的熔沸點(diǎn)高
。
（5）原子晶體GaAs的晶胞參數(shù)a=x pm,它的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶胞內(nèi)部存在的共價鍵數(shù)為
16
16
；該晶體的密度為
5
.
8
×
1
0
32
x
3
N
A
5
.
8
×
1
0
32
x
3
N
A
g?cm-3（阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示）

【答案】3d104s24p1；小于；大于；NH3中的N具有孤對電子，BF3中的B核外具有空軌道；正四面體；sp3；GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，離子晶體GaF3的熔沸點(diǎn)高；16；
5
.
8
×
1
0
32
x
3
N
A
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：53引用：2難度：0.4
相似題

  • 菁優(yōu)網(wǎng)1．某籠形絡(luò)合物A[Ni（CN）x（NH3）y（C6H6）z]結(jié)構(gòu)中，金屬離子與CN連接形成平面層，兩個平面層通過NH3分子連接，中間的空隙填充大小合適的分子（如C6H6），其基本結(jié)構(gòu)如圖（H原子未畫出）。下列說法錯誤的是（　?。?/h2>

    發(fā)布：2024/11/2 8:0:46組卷：58引用：2難度：0.5

  • 2．（1）晶體的自范性即
     
    ，區(qū)分晶體與非晶體最可靠的方法是
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    （2）Co的一種氧化物的晶胞如圖1所示，在該晶體中與一個鈷原子等距離且最近的鈷原子有
     
    個；筑波材料科學(xué)國家實(shí)驗(yàn)室一個科研小組發(fā)現(xiàn)了在5K下呈現(xiàn)超導(dǎo)性的晶體，該晶體具有CoO2的。層狀結(jié)構(gòu)（如圖2所示，小球表示Co原子，大球表示O原子）。下列用粗線畫出的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元示意圖不能描述CoO2的化學(xué)組成的是
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    （3）①氮化鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖3所示。該晶體中鐵、氮的微粒個數(shù)之比為
     
    。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    ②氧化亞鐵晶體的晶胞如圖4所示。已知：
    氧化亞鐵晶體的密度為ρg?cm-3，NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值。在該晶胞中，與Fe2+緊鄰且等距離的Fe2+數(shù)目為
     
    ；Fe2+與O2-最短核間距為
     
    pm。

    發(fā)布：2024/11/2 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.6

  • 菁優(yōu)網(wǎng)3．“中國紫”--硅酸銅鋇（BaCuSi2O6），其合成原料為BaCO3、孔雀石[Cu2（OH）2CO3]和砂子（SiO2）?；卮鹣铝袉栴}：
    （1）基態(tài)Ba原子的價電子排布式為
     
    。
    （2）SiO2常用作光導(dǎo)纖維，在生產(chǎn)和生活中有廣泛的用途。SiO2屬于
     
    晶體，在SiO2晶體中，硅原子的雜化類型為
     
    。
    （3）Cu2（OH）2CO3不溶于水，但可溶于濃氨水，反應(yīng)的化學(xué)方程式為Cu2（OH）2CO3+8NH3?H2O═[Cu（NH3）4]CO3+[Cu（NH3）4]（OH）2+8H2O。
    ①氨水中存在的化學(xué)鍵有
     
    。（填標(biāo)號）
    A.極性鍵
    B.非極性鍵
    C.氫鍵
    D.σ鍵
    E.π鍵
    ②[Cu（NH3）4]CO3中配體是
     
    ，所含元素中電負(fù)性最小的非金屬元素是
     
    （填元素符號）。
    （4）Cu2O的熔點(diǎn)比Cu2S的
     
    （填“高”或“低”），原因是
     
    。
    （5）Cu和Ba形成的某種合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該合金中Cu與Ba的原子個數(shù)比為
     
    。

    發(fā)布：2024/11/2 8:0:1組卷：15引用：1難度：0.4
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