以Cu₂O、ZnO等半導(dǎo)體材料制作的傳感器和芯片具有能耗低、效率高的優(yōu)勢?；卮饐栴}：
（1）基態(tài)O原子的電子排布式

1s²2s²2p⁴

1s²2s²2p⁴

，其中未成對電子有

2

2

個。
（2）酞菁的銅、鋅配合物在光電傳感器方面有著重要的應(yīng)用價值。酞菁分子結(jié)構(gòu)如圖1，分子中所有原子共平面，所有N原子的雜化軌道類型相同，均采取

sp²

sp²

雜化。

鄰苯二甲酸酐（）和鄰苯二甲酰亞胺（）都是合成酞菁的原料，后者熔點(diǎn)高于前者，主要原因是

兩者均為分子晶體，后者能形成分子間氫鍵，使分子間作用力增大，熔點(diǎn)更高

兩者均為分子晶體，后者能形成分子間氫鍵，使分子間作用力增大，熔點(diǎn)更高

。
（3）金屬Zn能溶于氨水，生成以氨為配體，配位數(shù)為4的配離子。Zn與氨水反應(yīng)的離子方程式為

Zn+4NH₃+2H₂O=[Zn（NH₃）₄]²⁺+H₂↑+2OH^-

Zn+4NH₃+2H₂O=[Zn（NH₃）₄]²⁺+H₂↑+2OH^-

。
（4）ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能。Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵，原因是

O的電負(fù)性比N大，即Zn-O的極性比Zn-N的極性大，離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)更高

O的電負(fù)性比N大，即Zn-O的極性比Zn-N的極性大，離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)更高

。
（5）圖2為某ZnO晶胞示意圖，圖3是若干晶胞無限并置而成的底面O原子排列局部平面圖。abcd為所取晶胞的下底面，為銳角等于60°的菱形。以此為參考，用給出的字母表示出與所取晶胞相鄰的兩個晶胞的底面

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、

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。