當(dāng)前位置： 2021-2022學(xué)年河北省衡水市武強(qiáng)中學(xué)高三（上）第一次月考化學(xué)試卷> 試題詳情

砷化鎵是繼硅之后研究最深入、應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉栴}：
（1）Ga基態(tài)原子核外電子排布式為
1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹
1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹
，As基態(tài)原子核外有
3
3
個(gè)未成對電子。
（2）Ga、As、Se的第一電離能中大到小的順序是
As＞Se＞Ga
As＞Se＞Ga
，Ga、As、Se 的電負(fù)性由大到小的順序是
Se＞As＞Ga
Se＞As＞Ga
。
（3）比較下列鎵的鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因：
GaCl₃、GaBr₃、GaI₃均為分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強(qiáng)
GaCl₃、GaBr₃、GaI₃均為分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強(qiáng)
。

鎵的鹵化物 GaI₃ GaBr₃ GaCl₃

熔點(diǎn)/℃ 77.75 122.3 211.5

沸點(diǎn)/℃ 201.2 279 346

GaF₃的熔點(diǎn)超過1000℃，可能的原因是
GaF₃是離子晶體
GaF₃是離子晶體
。
（4）二水合草酸鎵的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中鎵原子的配位數(shù)為
4
4
，草酸根中碳原子的雜化軌道類型為
sp²
sp²
。

（5）砷化鎵的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，晶胞參數(shù)為a=0.565nm,砷化鎵晶體的密度為
4
×
145
N
A
×
（
0
.
565
×
1
0
-
7
）
3
4
×
145
N
A
×
（
0
.
565
×
1
0
-
7
）
3
g/cm³（設(shè)N_A為阿伏加德羅常數(shù)的值，列出計(jì)算式即可）。

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用；原子核外電子排布．

【答案】1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹；3；As＞Se＞Ga；Se＞As＞Ga；GaCl₃、GaBr₃、GaI₃均為分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強(qiáng)；GaF₃是離子晶體；4；sp²；

145

（

565

）

【解答】

【點(diǎn)評】

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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：30引用：6難度：0.5

相似題

1．堿金屬（Li、Na、K、Rb、Cs）及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著重要的應(yīng)用。請回答：
（1）基態(tài)K原子核外有

種不同的電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。
（2）鹵化物CsICl₂受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng)，生成無色晶體X和紅棕色液體Y。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因：

。
（3）已知RbH₂PO₂是次磷酸的正鹽，H₃PO₂的結(jié)構(gòu)式為

，其中P采取

雜化方式。
（4）Al、B、H電負(fù)性分別為1.5、2.0、2.1，簡要說明LiAlH₄還原性比NaBH₄強(qiáng)的原因：

。
（5）鋰離子電池電極材料是LiFePO₄，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如①所示。其中O圍繞Fe和P分別形成4個(gè)正八面體和4個(gè)正四面體。電池充電時(shí)，LiFePO₄脫出部分Li⁺形成Li_（1-x）FePO₄，其結(jié)構(gòu)示意圖如②所示，則Li_（1-x）FePO₄晶胞中n（Fe²⁺）：n（Fe³⁺）=

。
發(fā)布：2024/11/6 12:0:1組卷：33引用：1難度：0.5
解析
2．硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF₄+NaAlH₄═SiH₄+NaAlF₄。
（1）①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為

。
②SiF₄中，硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是

。
③下列說法正確的是

（填序號）。
a.SiF₄的熱穩(wěn)定性比CH₄的差
b.SiH₄中4個(gè)Si-H的鍵長相同，H-Si-H的鍵角為90°
c.SiH₄中硅原子以4個(gè)sp³雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊，形成4個(gè)Si-Hσ鍵
④SiF₄的沸點(diǎn)（-86℃）高于SiH₄的沸點(diǎn)（-112℃），原因是

。
（2）NaAlH₄的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞的體積為a²b×10^-21cm³。

①
A
l
H
-
4
的VSEPR模型名稱為

。
②用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH₄晶體密度為

g?cm^-3（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）。
③NaAlH₄是一種具有應(yīng)用潛能的儲氫材料，其釋氫過程可用化學(xué)方程式表示為：3NaAlH₄═Na₃AlH₆+2Al+3H₂↑。摻雜₂₂Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH₄中H的解離，使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測其可能原因：

。
發(fā)布：2024/11/6 14:0:2組卷：52引用：1難度：0.7
解析

3．X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素，且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對電子，W的最外層電子數(shù)是次外層的一半，Q最外層有1個(gè)電子，內(nèi)層電子全部充滿。Q²⁺能與NH₃形成[Q（NH₃）₄]²⁺，[Q（NH₃）₄]²⁺中2個(gè)NH₃被2個(gè)Cl^-取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q₂Z種晶胞如下圖所示。下列說法正確的是（　?。?/h2>

A．X的一種晶體具有很大的硬度，1mol該晶體中含有4molX-X鍵

B．Y₂、Z₂的晶體類型均為共價(jià)晶體

C．[Q（NH₃）₄]²⁺的空間構(gòu)型為正四面體形

D．Q₂Z晶胞中，距離每個(gè)Q⁺最近的Z^2-有2個(gè)

發(fā)布：2024/11/6 20:0:1組卷：15引用：2難度：0.7

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鎵的鹵化物	GaI₃	GaBr₃	GaCl₃
熔點(diǎn)/℃	77.75	122.3	211.5
沸點(diǎn)/℃	201.2	279	346