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試題詳情
如圖甲所示,兩根光滑的金屬導(dǎo)軌MN、PQ彼此平行,相距L=0.5m,與水平面成θ=37°角放置,在導(dǎo)軌的上部接有一滑動(dòng)變阻器,其最大阻值R=10Ω.一根質(zhì)量為m=50g、電阻r=2Ω的直導(dǎo)體棒ab與導(dǎo)軌垂直放置且與導(dǎo)軌接觸良好.在圖示的矩形虛線區(qū)域內(nèi)存在著垂直導(dǎo)軌平面向下、磁感應(yīng)強(qiáng)度B=2T的勻強(qiáng)磁場(chǎng),該磁場(chǎng)始終以速度v
0
在矩形虛線區(qū)域內(nèi)沿著導(dǎo)軌勻速向上運(yùn)動(dòng).當(dāng)滑片滑至滑動(dòng)變阻器的中點(diǎn)時(shí),導(dǎo)體棒恰能在導(dǎo)軌上靜止不動(dòng).金屬導(dǎo)軌的電阻不計(jì),運(yùn)動(dòng)的過程中總能保證金屬棒處于磁場(chǎng)中.設(shè)軌道足夠長(zhǎng),重力加速度g取10m/s
2
,sin37°=0.6,cos37°=0.8.
(1)求磁場(chǎng)運(yùn)動(dòng)的速度v
0
是多大?
(2)現(xiàn)將滑動(dòng)變阻器接入電路的阻值迅速變?yōu)?Ω,求導(dǎo)體棒穩(wěn)定運(yùn)動(dòng)時(shí)的速度大小及該過程中安培力的最大功率.
(3)若將滑動(dòng)變阻器的滑片滑至某處后導(dǎo)體棒穩(wěn)定運(yùn)動(dòng)時(shí)的速度用符號(hào)v表示,此時(shí)對(duì)應(yīng)電路的總電阻用符號(hào)R
總
表示,請(qǐng)推導(dǎo)速度v隨總電阻R
總
變化的關(guān)系式,并在圖乙中準(zhǔn)確地畫出此情況下的v-R
總
圖象.
【考點(diǎn)】
電磁感應(yīng)過程中的電路類問題
;
閉合電路歐姆定律的內(nèi)容和表達(dá)式
;
安培力的計(jì)算公式及簡(jiǎn)單應(yīng)用
.
【答案】
見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/11/3 8:0:2
組卷:211
引用:2
難度:0.1
相似題
1.
如圖,半徑為R,粗細(xì)均勻的單匝圓形金屬線圈內(nèi)有一半徑為r的圓形區(qū)域存在勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度垂直于線圈平面向里,磁感應(yīng)強(qiáng)度B隨時(shí)間t的變化關(guān)系為B=B
0
+kt,B
0
、k為常量。圖中金屬線圈上a、b兩點(diǎn)之間的電勢(shì)差為( ?。?/h2>
A.
1
4
πk
r
2
B.
1
4
πk
R
2
C.
3
4
π
B
0
r
2
D.0
發(fā)布:2024/11/2 13:30:2
組卷:117
引用:2
難度:0.6
解析
2.
如圖所示,固定在水平面內(nèi)金屬框架ABCD處在豎直向下磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,AB與CD平行且足夠長(zhǎng),CB與CD間的夾角為θ(θ<90°),不計(jì)金屬框架的電阻.單位長(zhǎng)度阻值相同的光滑導(dǎo)體棒EF(垂直于CD)在外力作用下以垂直于自身的速度v向右勻速運(yùn)動(dòng),導(dǎo)體棒在滑動(dòng)過程中始終保持與導(dǎo)軌良好接觸,經(jīng)過C點(diǎn)瞬間作為計(jì)時(shí)起點(diǎn),下列關(guān)于電路中電流大小I與時(shí)間t、消耗的電功率P與導(dǎo)體棒水平移動(dòng)的距離x變化規(guī)律的圖象中正確的是( ?。?/h2>
A.
B.
C.
D.
發(fā)布:2024/10/27 17:0:2
組卷:49
引用:1
難度:0.7
解析
3.
如圖所示,兩足夠長(zhǎng)平行光滑固定導(dǎo)軌,傾角為θ,導(dǎo)體棒ab、cd用絕緣細(xì)線栓連,處于水平狀態(tài),在平行于斜面向上的恒力F作用下靜止于軌道,一范圍足夠大的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直于軌道斜面(未畫出)。磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,軌道寬度為l,導(dǎo)體棒ab、cd接入電路的電阻分別為R和2R。剪斷細(xì)線,經(jīng)t時(shí)間ab達(dá)到最大速度。已知導(dǎo)體棒ab質(zhì)量為2m,導(dǎo)體棒cd質(zhì)量為m。下列說法正確的是( )
A.在任意時(shí)刻,ab與cd速度大小之比為1:1
B.a(chǎn)b的最大速度為
mg
R
sinθ
B
2
l
2
C.在0到t時(shí)間內(nèi),流過ab的電荷量為
mg
(
B
2
l
2
t
-
2
m
R
)
sinθ
2
B
2
l
2
D.在0到t時(shí)間內(nèi),ab上滑的距離為
mg
R
tsinθ
2
B
2
l
2
發(fā)布:2024/11/3 1:0:1
組卷:372
引用:2
難度:0.6
解析
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