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氯化鈉晶體可看作為Cl-按ABCABCABC作最密堆積(面心立方最密堆積),Na+填充在Cl-圍成的所有正八面體空隙中?;卮鹣铝袉栴}:
(1)寫出Na+核外電子排布式:
1s22s22p6
1s22s22p6

(2)Cl-作最密堆積時(shí),距離Cl-最近的Cl-
12
12
個(gè)。
(3)NaF和NaCl同屬于AB型的離子化合物,NaCl的穩(wěn)定性
小于
小于
NaF的穩(wěn)定性(填“大于”、“小于”或“等于”)。
(4)一個(gè)氯化鈉晶胞中Cl-圍成的正八面體空隙有
4
4
個(gè)。
(5)已知阿伏加德羅常數(shù)為NA,氯化鈉(摩爾質(zhì)量為Mg/mol)晶體密度為ρg/cm3,計(jì)算氯化鈉晶胞正負(fù)離子的核間距
3
M
2
ρ
N
A
3
M
2
ρ
N
A
。
(6)畫出沿氯化鈉晶胞體對(duì)角線的投影圖
菁優(yōu)網(wǎng)
菁優(yōu)網(wǎng)
。(Cl-用●,Na+用〇表示,被遮擋的原子不畫出)
(7)在一定條件下電解飽和食鹽水可制備飲用水消毒劑ClO2。ClO2分子中Cl的一個(gè)
sp2
sp2
雜化軌道與O的2px軌道形成Cl-O
配位
配位
鍵,并且Cl的3pz軌道與O的2pz軌道形成3中心5電的大π鍵(π35)。

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算
【答案】1s22s22p6;12;小于;4;
3
M
2
ρ
N
A
;菁優(yōu)網(wǎng);sp2;配位
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:40引用:1難度:0.2
相似題
  • 1.完成下列問題:
    (1)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,可作半導(dǎo)體材料,而GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃。預(yù)測GaCl3的晶體類型可能為
     

    (2)GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則晶胞中每個(gè)Ga原子周圍有
     
    個(gè)緊鄰等距的As原子;該晶體的密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶體中最近的兩個(gè)Ga原子的核間距離為
     
    cm(列出計(jì)算式)。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (2)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能,Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵,原因是
     
    。
    (3)CH3Mn(CO)5與I2反應(yīng)可用于制備CH3I,反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變,CH3Mn(CO)5與I2反應(yīng)的化學(xué)方程式為
     

    (4)將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場中,會(huì)使磁場強(qiáng)度增大,稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中,屬于順磁性物質(zhì)的是
     
    (填標(biāo)號(hào))。
    A.[Cu(NH32]Cl
    B.[Zn(NH34]SO4
    C.[Cu(NH34]SO4
    D.Na2[Zn(OH)4]

    發(fā)布:2024/11/7 1:0:2組卷:21引用:1難度:0.6
  • 2.硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF4+NaAlH4═SiH4+NaAlF4。
    (1)①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為
     

    ②SiF4中,硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是
     

    ③下列說法正確的是
     
    (填序號(hào))。
    a.SiF4的熱穩(wěn)定性比CH4的差
    b.SiH4中4個(gè)Si-H的鍵長相同,H-Si-H的鍵角為90°
    c.SiH4中硅原子以4個(gè)sp3雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊,形成4個(gè)Si-Hσ鍵
    ④SiF4的沸點(diǎn)(-86℃)高于SiH4的沸點(diǎn)(-112℃),原因是
     

    (2)NaAlH4的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a2b×10-21cm3。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    A
    l
    H
    -
    4
    的VSEPR模型名稱為
     
    。
    ②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH4晶體密度為
     
    g?cm-3(用含a、b、NA的代數(shù)式表示)。
    ③NaAlH4是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料,其釋氫過程可用化學(xué)方程式表示為:3NaAlH4═Na3AlH6+2Al+3H2↑。摻雜22Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH4中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測其可能原因:
     

    發(fā)布:2024/11/6 14:0:2組卷:52引用:1難度:0.7
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3.X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對(duì)電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個(gè)電子,內(nèi)層電子全部充滿。Q2+能與NH3形成[Q(NH34]2+,[Q(NH34]2+中2個(gè)NH3被2個(gè)Cl-取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q2Z種晶胞如下圖所示。下列說法正確的是(  )

    發(fā)布:2024/11/6 20:0:1組卷:15引用:2難度:0.7
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