當(dāng)前位置： 2022年陜西省西安市臨潼區(qū)高考化學(xué)一模試卷> 試題詳情

中國(guó)古代文獻(xiàn)中記載了大量古代化學(xué)的研究成果，《本草綱目》中記載：“（火藥）乃焰消（KNO₃）、硫磺、杉木炭所合，以為烽燧銃機(jī)諸藥者”，反應(yīng)原理為S+2KNO₃+3C═K₂S+N₂↑+3CO₂↑。
（1）氮原子的價(jià)層電子排布圖為
，煙花燃放過(guò)程中，鉀元素中的電子躍遷的方式是
由高能量狀態(tài)躍遷到低能量狀態(tài)
由高能量狀態(tài)躍遷到低能量狀態(tài)
，K、S、N、O四種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
N＞O＞S＞K
N＞O＞S＞K
。上述反應(yīng)涉及的元素中電負(fù)性最大的是
O
O
。（填元素符號(hào)）
（2）碳元素除可形成常見(jiàn)的氧化物CO、CO₂外，還可形成C₂O₃（其結(jié)構(gòu)如圖）。C₂O₃與水反應(yīng)可生成草酸（HOOC-COOH）。
①C₂O₃中碳原子的雜化軌道類(lèi)型為
sp²雜化
sp²雜化
，CO₂分子的立體構(gòu)型為
直線形
直線形
。
②草酸與正丁酸（CH₃CH₂CH₂COOH）的相對(duì)分子質(zhì)量相差2，二者的熔點(diǎn)分別為101℃、-7.9℃，導(dǎo)致這種差異的最主要原因可能是
草酸分子之間可以形成更多的氫鍵，
草酸分子之間可以形成更多的氫鍵，
。
③CO分子中π鍵與σ鍵個(gè)數(shù)比為
2：1
2：1
。
（3）磷化硼是一種超硬耐磨涂層材料，晶胞如圖所示，其密度為ρg?cm^-3，設(shè)N_A是阿伏加德羅常數(shù)的值，則磷原子的配位數(shù)為
4
4
，晶胞參數(shù)為
3
168
ρ
×
N
A
×10¹⁰
3
168
ρ
×
N
A
×10¹⁰
pm。

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；原子軌道雜化方式及雜化類(lèi)型判斷；元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用．

【答案】

；由高能量狀態(tài)躍遷到低能量狀態(tài)；N＞O＞S＞K；O；sp²雜化；直線形；草酸分子之間可以形成更多的氫鍵，；2：1；4；

168

×10¹⁰

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書(shū)面同意，不得復(fù)制發(fā)布。

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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：17引用：3難度：0.5

相似題

1．完成下列問(wèn)題：
（1）GaAs的熔點(diǎn)為1238℃，可作半導(dǎo)體材料，而GaCl₃的熔點(diǎn)為77.9℃。預(yù)測(cè)GaCl₃的晶體類(lèi)型可能為

。
（2）GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則晶胞中每個(gè)Ga原子周?chē)?

個(gè)緊鄰等距的As原子；該晶體的密度為ρg/cm³，阿伏加德羅常數(shù)為N_A，則晶體中最近的兩個(gè)Ga原子的核間距離為

cm（列出計(jì)算式）。

（2）ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能，Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵，原因是

。
（3）CH₃Mn（CO）₅與I₂反應(yīng)可用于制備CH₃I，反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變，CH₃Mn（CO）₅與I₂反應(yīng)的化學(xué)方程式為

。
（4）將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場(chǎng)中，會(huì)使磁場(chǎng)強(qiáng)度增大，稱(chēng)其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中，屬于順磁性物質(zhì)的是

（填標(biāo)號(hào)）。
A．[Cu（NH₃）₂]Cl
B．[Zn（NH₃）₄]SO₄
C．[Cu（NH₃）₄]SO₄
D．Na₂[Zn（OH）₄]
發(fā)布：2024/11/7 1:0:2組卷：21引用：1難度：0.6
解析
2．硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF₄+NaAlH₄═SiH₄+NaAlF₄。
（1）①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為

。
②SiF₄中，硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是

。
③下列說(shuō)法正確的是

（填序號(hào)）。
a.SiF₄的熱穩(wěn)定性比CH₄的差
b.SiH₄中4個(gè)Si-H的鍵長(zhǎng)相同，H-Si-H的鍵角為90°
c.SiH₄中硅原子以4個(gè)sp³雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊，形成4個(gè)Si-Hσ鍵
④SiF₄的沸點(diǎn)（-86℃）高于SiH₄的沸點(diǎn)（-112℃），原因是

。
（2）NaAlH₄的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞的體積為a²b×10^-21cm³。

①
A
l
H
-
4
的VSEPR模型名稱(chēng)為

。
②用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH₄晶體密度為

g?cm^-3（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）。
③NaAlH₄是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料，其釋氫過(guò)程可用化學(xué)方程式表示為：3NaAlH₄═Na₃AlH₆+2Al+3H₂↑。摻雜₂₂Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH₄中H的解離，使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測(cè)其可能原因：

。
發(fā)布：2024/11/6 14:0:2組卷：52引用：1難度：0.7
解析

3．X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素，且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對(duì)電子，W的最外層電子數(shù)是次外層的一半，Q最外層有1個(gè)電子，內(nèi)層電子全部充滿(mǎn)。Q²⁺能與NH₃形成[Q（NH₃）₄]²⁺，[Q（NH₃）₄]²⁺中2個(gè)NH₃被2個(gè)Cl^-取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q₂Z種晶胞如下圖所示。下列說(shuō)法正確的是（　　）

A．X的一種晶體具有很大的硬度，1mol該晶體中含有4molX-X鍵

B．Y₂、Z₂的晶體類(lèi)型均為共價(jià)晶體

C．[Q（NH₃）₄]²⁺的空間構(gòu)型為正四面體形

D．Q₂Z晶胞中，距離每個(gè)Q⁺最近的Z^2-有2個(gè)

發(fā)布：2024/11/6 20:0:1組卷：15引用：2難度：0.7

解析

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